1。UV發(fā)光機構PN結終端電壓構成了一個特定的屏障，當勢壘電壓時，當勢壘向下時，P和N區(qū)域的大多數(shù)載波會擴散到另一邊。由于電子的流動比孔的流動大得多，所以在P區(qū)擴散中會有大量的電子，構成P區(qū)域的少數(shù)載波注入。這些電子與價帶上的孔洞結合在一起，當重新組合時獲得的能量以光能的形式釋放出來。這就是PN結光的原理。
 
2。uvled紫外線冷光源發(fā)光效率通常被稱為元件的外部量子效率，這是元件內(nèi)部量子效率的乘積，以及元件的去除效率。所謂元件的內(nèi)部量子效率實際上是元件本身的電光轉(zhuǎn)換效率，主要與元件本身的特性有關(如組件材料的能量帶、缺陷、雜質(zhì))、元件的組成和結構。而去除該成分的效率指的是在吸收、折射和在組裝過程中產(chǎn)生的光子的反射后，可以測量出的光子數(shù)量。因此，與萃取效率有關的因素包括組件材料本身的吸收、裝配的幾何形狀、組裝與封裝材料的折射率差以及組件結構的散射特性。元件內(nèi)部量子效率的乘積和元件的拆卸效率是整個組件的發(fā)光效應，即元件的外部量子效率。早期組件開發(fā)集中在改善其內(nèi)部量子效率的主要方法是提高質(zhì)量的障礙和改變結構的障礙,因此,電是不容易轉(zhuǎn)換成熱量,然后間接提高紫外LED發(fā)光效率,可以約70%的內(nèi)部量子效率理論,但這種內(nèi)部量子效率幾乎是接近理論ji限。在這種情況下，通過提高元件的內(nèi)部量子效率來提高元件的總分量是不可能的，因此元件的提取效率成為一個重要的研究課題。目前的方法主要是:顆粒形狀變化-尖端結構，表面粗糙度技術。
  
3。uvled紫外線冷光源電特性電流控制裝置，其負載特性與UI曲線的PN結相似，uvled紫外線冷光源正向電壓的很小變化可以導致正向電流(指數(shù)ji)大變化，反向漏電電流很小，擊穿電壓。在實際使用中，應選擇。隨著溫度的升高，UV引導的電壓降低，溫度系數(shù)為負。紫外線引導能量消耗，部分轉(zhuǎn)化為光能，這是我們需要的。其余的轉(zhuǎn)化為熱量，從而使結溫上升。
 
4。紫外LED光學特性UV LED紫外線冷光源提供半寬度的單色光，因為半導體能與溫度上升，所以它的峰值波長隨溫度升高而增加。

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